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2.1　半導體材料相關概述
2.1.1　第一代半導體材料
2.1.2　第二代半導體材料
2.1.3　第三代半導體材料
2.1.4　半導體材料的應用
2.2　2018-2021年全球半導體材料發(fā)展狀況
2.2.1　市場銷售規(guī)模
2.2.2　區(qū)域分布狀況
2.2.3　細分市場結構
2.2.4　市場競爭狀況
2.3　2018-2021年中國半導體材料行業(yè)運行狀況
2.3.1　應用環(huán)節(jié)分析
2.3.2　產業(yè)支持政策
2.3.3　市場銷售規(guī)模
2.3.4　細分市場結構
2.3.5　企業(yè)發(fā)展動態(tài)
2.3.6　國產替代進程
2.4　中國半導體材料行業(yè)存在的問題及發(fā)展對策
2.4.1　行業(yè)發(fā)展滯后
2.4.2　產品同質化問題
2.4.3　供應鏈不完善
2.4.4　行業(yè)發(fā)展建議
2.4.5　行業(yè)發(fā)展思路
2.5　半導體材料產業(yè)未來發(fā)展前景展望
2.5.1　行業(yè)發(fā)展趨勢
2.5.2　行業(yè)需求分析
2.5.3　行業(yè)前景分析

3.1　氮化鎵產業(yè)發(fā)展綜述
3.1.1　產業(yè)鏈條分析
3.1.2　產業(yè)發(fā)展歷程
3.1.3　產業(yè)支持政策
3.1.4　國產化將加速
3.2　2018-2021年氮化鎵市場發(fā)展狀況
3.2.1　氮化鎵市場發(fā)展現(xiàn)狀
3.2.2　氮化鎵市場需求狀況
3.2.3　氮化鎵廠商布局狀況
3.2.4　氮化鎵市場競爭格局
3.2.5　氮化鎵應用領域分析
3.2.6　氮化鎵產業(yè)鏈供應商
3.2.7　氮化鎵區(qū)域集聚發(fā)展
3.2.8　氮化鎵器件發(fā)展瓶頸
3.3　氮化鎵產業(yè)技術及研發(fā)狀況
3.3.1　產業(yè)自主創(chuàng)新
3.3.2　產業(yè)研發(fā)進展
3.3.3　技術專利分析

4.1　發(fā)光二極管（LED）
4.1.1　發(fā)光二極管（LED）發(fā)展概述
4.1.2　發(fā)光二極管（LED）市場發(fā)展現(xiàn)狀
4.1.3　發(fā)光二極管（LED）進出口數(shù)據(jù)分析
4.1.4　氮化鎵基藍綠光LED發(fā)展歷程
4.1.5　氮化鎵在LED領域的技術突破
4.2　場效應晶體管（FET）
4.2.1　場效應晶體管（FET）發(fā)展概述
4.2.2　GaN　FET與硅FET的比較分析
4.2.3　GaN　FET產品的應用情況
4.2.4　GaN　FET產品研發(fā)進展
4.3　激光二極管（LD）
4.3.1　激光二極管（LD）發(fā)展概述
4.3.2　激光二極管（LD）背景技術
4.3.3　激光器進出口市場數(shù)據(jù)分析
4.3.4　GaN基激光器發(fā)展概況分析
4.3.5　GaN基激光器應用狀況分析
4.3.6　GaN基激光器技術發(fā)展情況
4.3.7　GaN基激光器發(fā)展前景展望
4.4　二極管（Diodes）
4.4.1　二極管（Diodes）發(fā)展概述
4.4.2　二極管進出口市場數(shù)據(jù)分析
4.4.3　氮化鎵二極管技術發(fā)展狀況
4.5　射頻器件（RF）
4.5.1　射頻器件（RF）發(fā)展概述
4.5.2　GaN射頻器件市場發(fā)展狀況
4.5.3　GaN射頻元件企業(yè)發(fā)展分析
4.6　太陽能電池（Solar Cells）
4.6.1　2018-2021年中國太陽能電池進出口數(shù)據(jù)分析
4.6.2　InGaN/GaN量子阱結構太陽能電池發(fā)展概述
4.6.3　InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率影響因素
4.6.4　InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率提升工藝
4.6.5　InGaN/GaN量子阱結構太陽能電池發(fā)展展望

5.1　氮化鎵在電力電子產業(yè)的應用
5.1.1　電力電子器件產業(yè)發(fā)展意義
5.1.2　GaN應用在電力電子領域的優(yōu)勢
5.1.3　GaN電力電子器件產品分析
5.1.4　GaN電力電子器件分布情況
5.1.5　GaN組件商品化帶來的機遇
5.1.6　電力電子器件市場未來發(fā)展方向
5.2　氮化鎵在新能源產業(yè)的應用
5.2.1　新能源行業(yè)相關政策支持
5.2.2　新能源行業(yè)整體發(fā)展形勢
5.2.3　新能源發(fā)電建設和運行情況
5.2.4　GaN大功率器件需求潛力
5.3　氮化鎵在智能電網(wǎng)產業(yè)的應用
5.3.1　發(fā)展智能電網(wǎng)的重要意義
5.3.2　智能電力設備發(fā)展分析
5.3.3　智能電力設備關鍵技術
5.3.4　GaN大功率器件需求潛力
5.4　氮化鎵在通訊設備產業(yè)的應用
5.4.1　通訊設備市場需求分析
5.4.2　通訊設備制造業(yè)運行分析
5.4.3　GaN大功率器件需求潛力
5.5　氮化鎵其他領域應用分析
5.5.1　GaN在4C產業(yè)的應用
5.5.2　GaN在無線基站領域應用
5.5.3　GaN在紫外探測領域的應用
5.5.4　GaN在紅外探測領域的應用
5.5.5　GaN在壓力傳感器中的應用
5.5.6　GaN在生物化學探測領域的應用

6.1　MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
6.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
6.1.2　企業(yè)經營狀況
6.1.3　企業(yè)產品動態(tài)
6.2　科沃（Qorvo, Inc.）
6.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
6.2.2　企業(yè)經營狀況
6.2.3　企業(yè)產品開發(fā)
6.3　雷神科技公司（Raytheon Technologies Corp.）
6.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
6.3.2　企業(yè)經營狀況
6.3.3　企業(yè)發(fā)展動態(tài)
6.4　恩智浦（NXP Semiconductors N.V.）
6.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
6.4.2　企業(yè)經營狀況
6.4.3　企業(yè)產品發(fā)布
6.4.4　項目建設動態(tài)
6.5　英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）
6.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
6.5.2　企業(yè)經營狀況
6.5.3　企業(yè)產品動態(tài)

7.1　蘇州納維科技有限公司
7.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.1.2　企業(yè)主營業(yè)務
7.1.3　企業(yè)發(fā)展成就
7.2　蘇州能訊高能半導體有限公司
7.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.2.2　企業(yè)發(fā)展成就
7.2.3　企業(yè)項目進展
7.3　東莞市中鎵半導體科技有限公司
7.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.3.2　企業(yè)人才隊伍
7.3.3　企業(yè)獲得榮譽
7.3.4　公司專利技術
7.3.5　企業(yè)發(fā)展規(guī)劃
7.4　三安光電股份有限公司
7.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.4.2　經營效益分析
7.4.3　業(yè)務經營分析
7.4.4　財務狀況分析
7.4.5　核心競爭力分析
7.4.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
7.4.7　未來前景展望
7.5　杭州士蘭微電子股份有限公司
7.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.5.2　經營效益分析
7.5.3　業(yè)務經營分析
7.5.4　財務狀況分析
7.5.5　核心競爭力分析
7.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
7.5.7　未來前景展望
7.6　四川海特高新技術股份有限公司
7.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.6.2　經營效益分析
7.6.3　業(yè)務經營分析
7.6.4　財務狀況分析
7.6.5　核心競爭力分析
7.6.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
7.6.7　未來前景展望

8.1　氮化鎵產業(yè)投資潛力分析
8.1.1　產業(yè)投資機會
8.1.2　企業(yè)并購案例
8.1.3　企業(yè)并購金額
8.1.4　投資擴產狀況
8.1.5　區(qū)域投資分布
8.2　氮化鎵產業(yè)發(fā)展前景展望
8.2.1　產業(yè)發(fā)展前景
8.2.2　市場應用潛力
8.2.3　市場發(fā)展機遇
8.3　 2021-2025年中國氮化鎵市場預測分析

圖表1　半導體發(fā)展歷程
圖表2　硅、砷化鎵、氮化鎵主要電學性質參數(shù)比較
圖表3　半導體材料性能比較
圖表4　砷化鎵/氮化鎵半導體的作用
圖表5　纖鋅礦結構和閃鋅礦結構兩種結構的結構特性
圖表6　三代半導體材料常溫下部分性質
圖表7　半導體材料的主要應用
圖表8　2016-2019年全球半導體材料銷售額及增速
圖表9　2019年全球半導體材料區(qū)域市場變化
圖表10　2016-2019年全球半導體材料細分市場結構
圖表11　2018年全球前五大硅晶圓供應商概況
圖表12　半導體材料主要應用于晶圓制造與封測環(huán)節(jié)
圖表13　2019年部分地區(qū)半導體材料相關布局
圖表14　2017-2019年中國半導體材料市場規(guī)模
圖表15　2017-2019年中國半導體材料細分市場結構
圖表16　2016-2019年國內企業(yè)半導體制造材料國產化率
圖表17　GaN器件產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)及主要企業(yè)
圖表18　GaN外延用不同襯底的對比
圖表19　GaN器件主要產品與工藝技術
圖表20　GaN器件發(fā)展史
圖表21　第三代半導體國家級支持政策
圖表22　第三代半導體地方支持政策
圖表23　部分“十三五”重點研發(fā)技術
圖表24　國家集成電路產業(yè)發(fā)展綱要
圖表25　GaN器件適用于功率器件市場
圖表26　部分快充與無線充廠商產品布局統(tǒng)計表
圖表27　2018年國內第三代半導體集聚區(qū)建設進展（一）
圖表28　2018年國內第三代半導體集聚區(qū)建設進展（二）
圖表29　2018年8英寸Si基GaN外延片及器件研發(fā)進展
圖表30　GaN-on-Si光電、功率和射頻應用領域的關鍵專利權人
圖表31　按應用細分的GaN-on-Si專利申請趨勢
圖表32　電力電子領域的GaN-on-Si專利領導者
圖表33　LED的生產流程
圖表34　LED器件按封裝形式分類
圖表35　LED器件按應用領域分類
圖表36　2006-2019年我國LED產業(yè)產值規(guī)模走勢圖
圖表37　2006-2019年我國LED產業(yè)細分領域產值規(guī)模走勢圖
圖表38　2010-2019年我國LED產業(yè)下游應用領域規(guī)模統(tǒng)計圖
圖表39　2010-2019年我國LED產業(yè)下游應用市場結構變動趨勢
圖表40　2011-2019年我國LED產業(yè)下游應用市場規(guī)模增速對比
圖表41　2013-2018年中國LED芯片行業(yè)產值規(guī)模持續(xù)增長
圖表42　2018-2021年中國發(fā)光二極管進出口總量
圖表43　2018-2021年中國發(fā)光二極管進出口總額
圖表44　2018-2021年中國發(fā)光二極管進出口（總量）結構
圖表45　2018-2021年中國發(fā)光二極管進出口（總額）結構
圖表46　2018-2021年中國發(fā)光二極管貿易逆差規(guī)模
圖表47　2018-2019年中國發(fā)光二極管進口區(qū)域分布
圖表48　2018-2021年中國發(fā)光二極管進口市場集中度（分國家）
圖表49　2019年主要貿易國發(fā)光二極管進口市場情況
圖表50　2021年主要貿易國發(fā)光二極管進口市場情況
圖表51　2018-2019年中國發(fā)光二極管出口區(qū)域分布
圖表52　2018-2021年中國發(fā)光二極管出口市場集中度（分國家）
圖表53　2019年主要貿易國發(fā)光二極管出口市場情況
圖表54　2021年主要貿易國發(fā)光二極管出口市場情況
圖表55　2018-2021年主要省市發(fā)光二極管進口市場集中度（分省市）
圖表56　2019年主要省市發(fā)光二極管進口情況
圖表57　2021年主要省市發(fā)光二極管進口情況
圖表58　2018-2021年中國發(fā)光二極管出口市場集中度（分省市）