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2.1　半導體材料相關概述
2.1.1　第一代半導體材料
2.1.2　第二代半導體材料
2.1.3　第三代半導體材料
2.1.4　半導體材料的應用
2.2　2019-2021年全球半導體材料發(fā)展狀況
2.2.1　市場銷售規(guī)模
2.2.2　區(qū)域分布狀況
2.2.3　細分市場結構
2.2.4　市場并購動態(tài)
2.2.5　市場發(fā)展預測
2.3　2019-2021年中國半導體材料行業(yè)運行狀況
2.3.1　應用環(huán)節(jié)分析
2.3.2　產(chǎn)業(yè)支持政策
2.3.3　市場銷售規(guī)模
2.3.4　細分市場結構
2.3.5　企業(yè)發(fā)展動態(tài)
2.3.6　國產(chǎn)替代進程
2.4　中國半導體材料行業(yè)存在的問題及發(fā)展對策
2.4.1　行業(yè)發(fā)展滯后
2.4.2　產(chǎn)品同質化問題
2.4.3　供應鏈不完善
2.4.4　行業(yè)發(fā)展建議
2.4.5　行業(yè)發(fā)展思路
2.5　半導體材料產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展前景展望
2.5.1　行業(yè)發(fā)展趨勢
2.5.2　行業(yè)需求分析
2.5.3　行業(yè)前景分析

3.1　氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
3.1.1　產(chǎn)業(yè)鏈條分析
3.1.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
3.1.3　產(chǎn)業(yè)支持政策
3.1.4　國產(chǎn)化將加速
3.2　2019-2021年氮化鎵市場發(fā)展狀況
3.2.1　氮化鎵市場發(fā)展現(xiàn)狀
3.2.2　氮化鎵市場需求狀況
3.2.3　氮化鎵市場產(chǎn)值規(guī)模
3.2.4　氮化鎵市場產(chǎn)能分析
3.2.5　氮化鎵應用領域分析
3.2.6　氮化鎵器件發(fā)展瓶頸
3.3　氮化鎵技術專利申請狀況
3.3.1　全球氮化鎵技術來源國分布
3.3.2　全球氮化鎵技術專利申請量
3.3.3　全球氮化鎵專利申請人分布
3.3.4　中國氮化鎵專利申請區(qū)域分布

4.1　2019-2021年全球氮化鎵企業(yè)競爭分析
4.1.1　全球氮化鎵市場區(qū)域競爭
4.1.2　全球氮化鎵企業(yè)競爭格局
4.1.3　全球氮化鎵企業(yè)市場份額
4.1.4　全球氮化鎵企業(yè)布局情況
4.1.5　全球氮化鎵企業(yè)上市動態(tài)
4.1.6　全球氮化鎵企業(yè)中國布局
4.2　2019-2021年中國氮化鎵企業(yè)競爭分析
4.2.1　國內(nèi)氮化鎵競爭態(tài)勢
4.2.2　國內(nèi)氮化鎵主要企業(yè)
4.2.3　國內(nèi)氮化鎵企業(yè)產(chǎn)線
4.2.4　國內(nèi)氮化鎵廠商布局
4.3　快充市場氮化鎵主要企業(yè)及其產(chǎn)品分布
4.3.1　氮化鎵芯片上游
4.3.2　氮化鎵制造工廠
4.3.3　氮化鎵品牌廠商
4.4　GaN器件主要企業(yè)及其產(chǎn)品分布
4.4.1　GaN電力電子器件
4.4.2　GaN光電子器件

5.1　發(fā)光二極管（LED）
5.1.1　發(fā)光二極管（LED）發(fā)展概述
5.1.2　發(fā)光二極管（LED）市場發(fā)展現(xiàn)狀
5.1.3　發(fā)光二極管（LED）進出口數(shù)據(jù)分析
5.1.4　氮化鎵基藍綠光LED發(fā)展歷程
5.1.5　氮化鎵在LED領域的技術突破
5.2　場效應晶體管（FET）
5.2.1　場效應晶體管（FET）發(fā)展概述
5.2.2　GaN　FET與硅FET的比較分析
5.2.3　GaN　FET產(chǎn)品的應用情況
5.2.4　GaN　FET產(chǎn)品研發(fā)進展
5.3　激光二極管（LD）
5.3.1　激光二極管（LD）發(fā)展概述
5.3.2　激光二極管（LD）背景技術
5.3.3　激光器進出口市場數(shù)據(jù)分析
5.3.4　GaN基激光器發(fā)展概況分析
5.3.5　GaN基激光器應用狀況分析
5.3.6　GaN基激光器技術發(fā)展情況
5.3.7　GaN基激光器發(fā)展前景展望
5.4　二極管（Diodes）
5.4.1　二極管（Diodes）發(fā)展概述
5.4.2　二極管進出口市場數(shù)據(jù)分析
5.4.3　氮化鎵二極管技術發(fā)展狀況
5.5　射頻器件（RF）
5.5.1　射頻器件（RF）發(fā)展概述
5.5.2　GaN射頻器件市場發(fā)展狀況
5.5.3　GaN射頻元件企業(yè)發(fā)展分析
5.5.4　GaN射頻器件主要需求領域
5.6　太陽能電池（Solar Cells）
5.6.1　2019-2021年中國太陽能電池進出口數(shù)據(jù)分析
5.6.2　InGaN/GaN量子阱結構太陽能電池發(fā)展概述
5.6.3　InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率影響因素
5.6.4　InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率提升工藝
5.6.5　InGaN/GaN量子阱結構太陽能電池發(fā)展展望

6.1　氮化鎵在電力電子產(chǎn)業(yè)的應用
6.1.1　電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
6.1.2　GaN應用在電力電子領域的優(yōu)勢
6.1.3　GaN電力電子器件分布情況
6.1.4　GaN基電力電子器件關鍵技術
6.1.5　GaN組件商品化帶來的機遇
6.1.6　電力電子器件市場未來發(fā)展方向
6.2　氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)的應用
6.2.1　新能源行業(yè)相關政策支持
6.2.2　新能源行業(yè)整體發(fā)展形勢
6.2.3　新能源發(fā)電建設和運行情況
6.2.4　GaN大功率器件需求潛力
6.3　氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應用
6.3.1　發(fā)展智能電網(wǎng)的重要意義
6.3.2　智能電力設備發(fā)展分析
6.3.3　智能電力設備關鍵技術
6.3.4　GaN大功率器件需求潛力
6.4　氮化鎵在通訊設備產(chǎn)業(yè)的應用
6.4.1　通訊設備市場需求分析
6.4.2　通訊設備制造業(yè)運行分析
6.4.3　GaN大功率器件需求潛力
6.5　氮化鎵其他領域應用分析
6.5.1　GaN在4C產(chǎn)業(yè)的應用
6.5.2　GaN在無線基站領域應用
6.5.3　GaN在紫外探測領域的應用
6.5.4　GaN在紅外探測領域的應用
6.5.5　GaN在壓力傳感器中的應用
6.5.6　GaN在生物化學探測領域的應用

7.1　MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
7.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.1.2　企業(yè)產(chǎn)品動態(tài)
7.1.3　2019財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.1.4　2020財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.1.5　2021財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.2　科沃（Qorvo, Inc.）
7.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.2.2　企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)
7.2.3　2019財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.2.4　2020財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.2.5　2021財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.3　雷神科技公司（Raytheon Technologies Corp.）
7.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.3.2　企業(yè)發(fā)展動態(tài)
7.3.3　2019年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.3.4　2020年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.3.5　2021年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.4　恩智浦（NXP Semiconductors N.V.）
7.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.4.2　企業(yè)產(chǎn)品發(fā)布
7.4.3　項目建設動態(tài)
7.4.4　2019財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.4.5　2020財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.4.6　2021財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.5　英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）
7.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.5.2　企業(yè)產(chǎn)品動態(tài)
7.5.3　2019財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.5.4　2020財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.5.5　2021財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析

8.1　蘇州納維科技有限公司
8.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.1.2　企業(yè)主營業(yè)務
8.1.3　企業(yè)發(fā)展成就
8.2　蘇州能訊高能半導體有限公司
8.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.2.2　企業(yè)發(fā)展成就
8.2.3　企業(yè)項目進展
8.3　東莞市中鎵半導體科技有限公司
8.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.3.2　企業(yè)人才隊伍
8.3.3　企業(yè)獲得榮譽
8.3.4　公司專利技術
8.3.5　企業(yè)發(fā)展規(guī)劃
8.4　三安光電股份有限公司
8.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.4.2　經(jīng)營效益分析
8.4.3　業(yè)務經(jīng)營分析
8.4.4　財務狀況分析
8.4.5　核心競爭力分析
8.4.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
8.4.7　未來前景展望
8.5　杭州士蘭微電子股份有限公司
8.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.5.2　經(jīng)營效益分析
8.5.3　業(yè)務經(jīng)營分析
8.5.4　財務狀況分析
8.5.5　核心競爭力分析
8.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
8.5.7　未來前景展望
8.6　四川海特高新技術股份有限公司
8.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.6.2　經(jīng)營效益分析
8.6.3　業(yè)務經(jīng)營分析
8.6.4　財務狀況分析
8.6.5　核心競爭力分析
8.6.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
8.6.7　未來前景展望

9.1　氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資潛力分析
9.1.1　產(chǎn)業(yè)投資機會
9.1.2　企業(yè)并購動態(tài)
9.1.3　投資擴產(chǎn)狀況
9.1.4　區(qū)域投資分布
9.2　氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景展望
9.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
9.2.2　市場應用潛力
9.2.3　市場發(fā)展機遇
9.3　 2022-2027年中國氮化鎵市場預測分析

圖表1　半導體發(fā)展歷程
圖表2　硅、砷化鎵、氮化鎵主要電學性質參數(shù)比較
圖表3　半導體材料性能比較
圖表4　砷化鎵/氮化鎵半導體的作用
圖表5　纖鋅礦結構和閃鋅礦結構兩種結構的結構特性
圖表6　三代半導體材料常溫下部分性質
圖表7　半導體材料的主要應用
圖表8　2019-2020年全球半導體材料市場規(guī)模及情況
圖表9　2019-2020年全球半導體材料區(qū)域市場變化
圖表10　2021年全球半導體材料市場區(qū)域分布預測情況
圖表11　半導體材料主要應用于晶圓制造與封測環(huán)節(jié)
圖表12　2012-2020年中國半導體材料市場規(guī)模
圖表13　2017-2019年中國半導體材料細分市場結構
圖表14　2016-2019年國內(nèi)企業(yè)半導體制造材料國產(chǎn)化率
圖表15　GaN器件產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)及主要企業(yè)
圖表16　GaN外延用不同襯底的對比
圖表17　GaN器件主要產(chǎn)品與工藝技術
圖表18　GaN器件發(fā)展史
圖表19　氮化鎵行業(yè)政策發(fā)展歷程
圖表20　國家層面氮化鎵行業(yè)政策匯總
圖表21　地方層面氮化鎵行業(yè)政策匯總（一）
圖表22　地方層面氮化鎵行業(yè)政策匯總（二）
圖表23　31省市氮化鎵行業(yè)發(fā)展目標匯總
圖表24　國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展綱要
圖表25　GaN器件適用于功率器件市場
圖表26　部分快充與無線充廠商產(chǎn)品布局統(tǒng)計表
圖表27　2016-2020年中國SiC、GaN電力電子產(chǎn)值
圖表28　2016-2020年中國GaN微波射頻產(chǎn)值
圖表29　截至2020年底中國氮化鎵（GaN）產(chǎn)能統(tǒng)計
圖表30　截至2021年全球氮化鎵行業(yè)技術來源國分布情況
圖表31　2010-2021年全球氮化鎵行業(yè)技術來源國專利申請量
圖表32　2010-2021年全球氮化鎵專利申請人集中度——CR10
圖表33　2021年全球氮化鎵行業(yè)專利申請數(shù)量TOP10申請人趨勢
圖表34　截止2021年全球氮化鎵行業(yè)專利申請數(shù)量TOP10申請人
圖表35　2021年全球氮化鎵行業(yè)專利申請數(shù)量TOP10申請人技術分布情況
圖表36　截至2021年全球氮化鎵行業(yè)市場價值最高TOP10專利的申請人
圖表37　2021年全球氮化鎵行業(yè)專利申請新進入者情況
圖表38　截止2021年中國當前申請?。ㄊ?、自治區(qū)）氮化鎵專利數(shù)量TOP10
圖表39　2010-2021年中國氮化鎵行業(yè)專利地區(qū)申請趨勢
圖表40　2019年全球氮化鎵市場份額（按地區(qū)）
圖表41　氮化鎵功率器件市場集中度
圖表42　氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈境內(nèi)外主要廠商
圖表43　截至2020年底中國GaN晶圓制造產(chǎn)線匯總
圖表44　快充市場熱門氮化鎵芯片品牌
圖表45　氮化鎵快充GaN控制芯片匯總